型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 50A 1200V885620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247AD218620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 3000V 37A 300W Isoplusi472321-9¥421.866010-49¥410.860850-99¥402.4235100-199¥399.4888200-499¥397.2877500-999¥394.35301000-1999¥392.5188≥2000¥390.6846
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品类: IGBT晶体管描述: IXGN 系列 600 Vce 52 A 27 ns t(on) 高速 IGBT - SOT-227B19361-9¥188.588510-49¥183.668850-99¥179.8970100-199¥178.5851200-499¥177.6012500-999¥176.28931000-1999¥175.4693≥2000¥174.6494
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24725791-9¥136.539510-49¥132.977650-99¥130.2468100-199¥129.2970200-499¥128.5846500-999¥127.63481000-1999¥127.0411≥2000¥126.4475
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 170A 750W To24770701-9¥72.312010-99¥69.1680100-249¥68.6021250-499¥68.1619500-999¥67.47021000-2499¥67.15582500-4999¥66.7157≥5000¥66.3384
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品类: IGBT晶体管描述: 650V 170A Through Hole IGBT GenX3TM w/ Sonic Diode - TO-24776861-9¥98.969010-99¥94.6660100-249¥93.8915250-499¥93.2890500-999¥92.34241000-2499¥91.91212500-4999¥91.3097≥5000¥90.7933
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode59125-49¥29.612750-199¥28.3472200-499¥27.6385500-999¥27.46141000-2499¥27.28422500-4999¥27.08175000-7499¥26.9552≥7500¥26.8286
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 370A 1150W To26484081-9¥135.803510-49¥132.260850-99¥129.5447100-199¥128.6000200-499¥127.8915500-999¥126.94681000-1999¥126.3563≥2000¥125.7659
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。65311-9¥271.089510-49¥264.017650-99¥258.5958100-199¥256.7100200-499¥255.2956500-999¥253.40981000-1999¥252.2311≥2000¥251.0525
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品类: IGBT晶体管描述: IXYH80N90C3 900 Vce 80 A 34 ns t(on) GenX3 高速 IGBT - TO-247-320521-9¥59.743410-99¥56.3155100-249¥53.7691250-499¥53.3773500-999¥52.98551000-2499¥52.54482500-4999¥52.1531≥5000¥51.9082
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24740831-9¥188.554010-49¥183.635250-99¥179.8641100-199¥178.5524200-499¥177.5687500-999¥176.25701000-1999¥175.4372≥2000¥174.6174
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin(3+Tab) TO-26475291-9¥152.869510-49¥148.881650-99¥145.8242100-199¥144.7608200-499¥143.9632500-999¥142.89981000-1999¥142.2351≥2000¥141.5705
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚37995-49¥32.865350-199¥31.4608200-499¥30.6743500-999¥30.47771000-2499¥30.28102500-4999¥30.05635000-7499¥29.9159≥7500¥29.7754
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247AD441820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds676620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3504
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1700V 57A 200W Isoplus24718551-9¥302.841010-49¥294.940850-99¥288.8840100-199¥286.7773200-499¥285.1972500-999¥283.09051000-1999¥281.7738≥2000¥280.4571
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。23471-9¥233.519010-49¥227.427250-99¥222.7568100-199¥221.1323200-499¥219.9140500-999¥218.28951000-1999¥217.2742≥2000¥216.2589
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB 单晶体管, IGBT, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚51031-9¥54.851210-99¥51.7040100-249¥49.3661250-499¥49.0064500-999¥48.64671000-2499¥48.24212500-4999¥47.8824≥5000¥47.6576
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 3.3kV 1.2kA 9Pin28181-9¥23113.530010-24¥22903.407025-49¥22798.345550-99¥22693.2840100-149¥22588.2225150-249¥22483.1610250-499¥22378.0995≥500¥22273.0380
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 650V Sot22778931-9¥288.270510-49¥280.750450-99¥274.9850100-199¥272.9796200-499¥271.4756500-999¥269.47031000-1999¥268.2169≥2000¥266.9636
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD20231-9¥764.461210-49¥737.638050-99¥734.2851100-149¥730.9322150-249¥725.5676250-499¥720.8735500-999¥716.1794≥1000¥710.8148
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1700V 60A 250W To26846441-9¥237.946510-49¥231.739250-99¥226.9803100-199¥225.3250200-499¥224.0835500-999¥222.42831000-1999¥221.3937≥2000¥220.3592
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD182420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: MOSFET DRVR 2A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOIC Tube511520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000